Samsung Electronics mempamerkan visi terkini untuk memori dan storan generasi akan datang di persidangan Future of Memory and Storage (FMS) 2026 di Santa Clara, California (4–6 Ogos). Kemuncak pameran itu ialah konsep pertama industri untuk zHBM dan zNAND-O — dua arkitektur memori 3D yang direka khas untuk menampung keperluan AI yang semakin hauskan kuasa pengiraan dan bandwidth.
Dalam keynote bertajuk "Driving the Wave of AI Revolution: 3D Innovations in Memory & Storage Architecture", Samsung menekankan bagaimana struktur memori tiga dimensi boleh meningkatkan prestasi sistem, kecekapan kuasa, dan pengurusan haba — tiga perkara yang paling kritikal dalam pusat data AI masa kini. Jom kita bedah apa yang sebenarnya diumumkan dan kenapa ia penting.
1. zHBM — Memori Distack Terus Di Atas Cip AI
Bintang utama pameran Samsung ialah zHBM (3D High Bandwidth Memory), arkitektur memori yang meletakkan memori berprestasi tinggi terus di atas cip AI accelerator — bukannya di sebelah cip seperti konfigurasi HBM sedia ada yang duduk di atas silicon interposer.
Dengan menyusun memori secara menegak di atas pemproses, jarak data perlu bergerak menjadi jauh lebih pendek. Samsung mendakwa zHBM mampu menawarkan prestasi sehingga 8x ganda berbanding HBM5 — satu lompatan yang sangat besar dalam dunia memori AI, di mana setiap peningkatan bandwidth diterjemahkan terus kepada keupayaan model AI yang lebih besar dan lebih pantas.
Perlu diingat: zHBM masih dalam bentuk konsep model (mock-up), bukan produk siap. Tapi arahannya jelas — Samsung mahu memecahkan bottleneck bandwidth yang selama ini menjadi had utama sistem AI.
2. zNAND-O — NAND Prestasi Tinggi untuk AI di Edge
Bersama zHBM, Samsung turut mempamerkan zNAND-O — konsep NAND berprestasi tinggi yang dibina berdasarkan teknologi V-NAND Samsung. Fokusnya pada senario AI yang berjalan di edge (peranti dan lokasi yang dekat dengan pengguna), di mana storan pantas dan cekap kuasa menjadi keutamaan.
Gabungan zHBM untuk pengkomputeran pusat dan zNAND-O untuk edge menunjukkan Samsung melihat AI sebagai spektrum penuh — bukan hanya GPU farm yang besar, tetapi juga peranti yang perlu memproses data secara setempat.
3. V10 BV-NAND — NAND 400+ Lapisan Guna Wafer Bonding
Samsung turut mendedahkan V10 BV-NAND — NAND generasi ke-10 dengan lebih 400 lapisan, dibina menggunakan teknologi wafer bonding yang pertama kali diperkenalkan dalam industri. Pendekatan ini membolehkan lapisan sel memori dan litar logik difabrikasi secara berasingan kemudian dicantumkan, meningkatkan ketumpatan storan tanpa menjejaskan prestasi.
Ini perkembangan penting untuk industri SSD — NAND berlapis tinggi bermakna SSD dengan kapasiti lebih besar pada kos lebih rendah, sesuatu yang akan dinikmati oleh pusat data dan akhirnya pengguna biasa dalam jangka masa panjang.
4. Portfolio AI Lengkap di FMS 2026
Selain tiga teknologi utama di atas, Samsung mempamerkan kira-kira 30 teknologi dalam booth yang direka menyerupai AI cloud server. Antaranya:
- HBM4E dan HBM5 — generasi HBM terkini yang sedang dan akan dihasilkan secara komersial.
- LPDDR5X-PIM — memori dengan keupayaan processing-in-memory, di mana pengiraan asas dilakukan terus dalam modul memori.
- PM1763 dan BM1773 — platform SSD enterprise generasi baharu untuk pusat data.
- Penyelesaian dalam bidang DRAM, NAND, storan enterprise, advanced packaging dan semikonduktor pembuatan.
5. Kenapa Ini Penting?
Permintaan terhadap memori AI melonjak mendadak sejak kebelakangan ini — setiap model AI besar memerlukan HBM yang banyak, dan bekalan dunia masih dikuasai segelintir pemain. Pengumuman ini menunjukkan Samsung mahu kekal relevan dalam perlumbaan menentang SK Hynix dan Micron, terutama selepas ketinggalan dalam beberapa generasi HBM awal.
Bagi pengguna biasa, kesannya memang tidak langsung — tiada produk zHBM yang boleh dibeli di kedai dalam masa terdekat. Tapi dalam jangka panjang, teknologi begini yang menentukan sama ada perkhidmatan AI (macam ChatGPT, Gemini dan seumpamanya) boleh menjadi lebih pantas, lebih murah dan lebih cekap tenaga. SSD enterprise yang lebih baik pula bermakna pusat data yang lebih cekap — dan secara tidak langsung, kos storan awan yang lebih rendah.
Kesimpulan
FMS 2026 menjadi pentas Samsung untuk membentangkan hala tuju memori 3D: zHBM untuk mengatasi bottleneck bandwidth AI, zNAND-O untuk AI di edge, dan V10 BV-NAND untuk storan berketumpatan tinggi. Semuanya masih konsep dan tiada tarikh komersial dikongsikan — tetapi arah tuju teknologi ini memberi gambaran jelas tentang rupa infrastruktur AI beberapa tahun akan datang.
Buat masa ini, pemain industri dan pelabur yang paling terkesan. Untuk kita sebagai pengguna, ini satu lagi tanda bahawa era AI bukan sahaja soal model dan aplikasi — tetapi juga tentang siapa yang menguasai memori di sebaliknya.
📚 Sumber
